当前位置:首页 > 产品中心 > 超快调制与测量 > 半导体可饱和吸收镜SESAM > SA可饱和吸收体 透射锁模saturable absorber
简要描述:可饱和吸收体 透射锁模saturable absorber可以被应用于环形激光器实现模式锁定。另外透射型可饱和吸收体可以被应用于固体二极管泵浦长波长(>1600nm)固体激光器,因为准备一个带有布拉格光栅的可饱和吸收镜价格会比较昂贵。
产品分类
Product classification合乐HL8官方网站相关的文章
RELATED ARTICLES产品简介
品牌 | 其他品牌 | 供货周期 | 一个月以上 |
---|---|---|---|
应用领域 | 电子 |
详细介绍
SA可饱和吸收体透射锁模器件saturable absorber可以被应用于环形激光器实现模式锁定。另外透射型可饱和吸收体可以被应用于固体二极管泵浦长波长(>1600nm)固体激光器,因为准备一个带有布拉格光栅的可饱和吸收镜价格会比较昂贵。
SA 1020: 适用波长 λ = 980 nm – 1040 nm; 吸收率 A0 = 40 %; 调制深度 ΔT = 25 %; 弛豫时间 τ ~ 500 fs; 饱和通量 Φsat = 300 µJ/cm2
SA 1064: 适用波长 λ = 1030 nm – 1090 nm; 吸收率 A0 = 40 %; 调制深度 ΔT = 25 %; 弛豫时间 τ ~ 500 fs; 饱和通量 Φsat = 300 µJ/cm2
SA 1550: 适用波长 λ = 1500 nm – 1600 nm; 吸收率 A0 = 25 %; 调制深度 ΔT = 15 %; 弛豫时间 τ ~ 2 ps; 饱和通量 Φsat = 300 µJ/cm2
SA 2000: 适用波长 λ = 1900 nm – 2100 nm; 吸收率 A0 = 1 %; 调制深度 ΔT = 0.6 %; 弛豫时间 τ ~ 500 fs; 饱和通量 Φsat = 300 µJ/cm2
x = 5.0-0
•单芯片,无封装
•芯片面积5.0 mm x 5.0 mm
•芯片厚度625 µm,双面镀AR
x = 1.0b-0
•一批4个,裸芯片,无封装
•芯片面积1.0 mm x 1.0 mm
•芯片厚度150 µm,用于光纤激光对接
x = 1.3b-0
•一批4个,裸芯片,无封装
•芯片面积1.3 mm x 1.3 mm
•芯片厚度150 µm,用于光纤激光对接
x = 5.0-12.7gc / 5.0-12.7ge
•芯片面积5.0mmx 5.0mm
•芯片厚度625 µm,双面镀AR
•粘贴在直径12.7mm,孔4mm的铜散热器上
•中心安装:x = 5.0-12.7gc
•边缘安装:x = 5.0 -12.7ge
x = 5.0-25.0gc / 5.0-25.0ge
•芯片面积5.0mmx 5.0mm
•芯片厚度625 µm,双面镀AR
•粘贴在直径25.0mm,孔4mm的铜散热片上
•中心安装:x = 5.0-25.0gc
•边缘安装:x = 5.0 -25.0ge
x = 5.0-25.4gc / 5.0-25.4ge
•芯片面积5.0mmx 5.0mm
•芯片厚度625 µm,双面镀AR
•粘贴在直径25.4mm,孔4mm的铜散热器上
•中心安装:x = 5.0-25.4gc
•边缘安装:x = 5.0 -25.4ge
>> 半导体可饱和吸收镜 SESAM
>> 可饱和输出耦合器 SOC
>> 共振可饱和吸收镜 RSAM
>> 可饱和噪声抑制器 SANOS
>> 透射型可饱和吸收体 SA
上海合乐HL8官方网站光电技术有限公司
产品咨询