用于自由空间耦合THZ发射器和探测器

THZ发射极和THZ探测器由一个在砷化镓基片上制作的微带光电导天线（PCA）组成。根据泵浦激光波长，低温生长的砷化镓（lt-gaas）或Gabias用作光电导体。表面采用普通金属化工艺形成共面赫兹偶极天线结构。光电导天线的几何结构，以及光电导外延层的特性都经过了优化，以获得最高的THZ辐射输出效率，同时保持最佳的带宽。因此，当输出功率为30 mW且脉冲持续时间小于150 fs时，典型的THZ辐射功率超过10μ W。探测系统的带宽超过700千兆赫，可用光谱范围为0.1-5太赫兹。

特点
▶ ▶基于LT-GaAs or GaBiAs光导材料
▶ ▶优化波长为800 nm或1060 nm左右
▶ ▶光谱范围宽，噪音低
▶ ▶亚皮秒时间分辨率
▶ ▶包括技术护照和测试报告 
应用
▶ ▶时间分辨宽带太赫兹光谱
▶ ▶光泵-THZ探针光谱法
▶ ▶THZ成像

太赫兹透镜由高密度硅制成，安装在X-Y级。Teravil提供两种标准类型的透镜：用于准直或发散THZ光束输出。在第二种情况下，PCA被放置在硅透镜的再生点，这可以减少THZ光束的球面像差。

THZ发射器或探测器由面板侧的激光束照亮。激光束必须聚焦在两个电极之间（图1）。金属触点之间的间隙类似于探测器外壳中的激光光斑直径，而发射器外壳中的激光光斑直径更大。 THZ辐射由集成透镜收集。

调整螺钉用于将硅透镜定位到PCA中心。外壳背面的SMA插座用于将直流或交流偏压连接到THZ发射器，并将锁定放大器输入连接到THZ检测器。三个M6孔中的任何一个可用于安装在光学台上的THZ发射器。

自由空间太赫兹发射器（太赫兹光电导天线）

自由空间的太赫兹发射器由一个光电导天线和高阻硅透镜封装而成。合乐HL8官方网站通常使用低温生产的GaAs（LT-GaAs）或者GaBiAs作为光电导材料。不同的光电导材料适用于不同的激发波长。

太赫兹发射天线参数规格

LT-GaAs天线	GaBiAs天线
激发功率：<50mW, 典型值30mW	激发功率：<20mW
偏置电压：<50V, 典型值40V	偏置电压：<50V，典型值40V
集成高阻硅透镜	集成高阻硅透镜
激发波长：800±40nm	激发波长：1060±40nm
封装XY二维调节架，调节范围±3mm	封装XY二维调节架，调节范围±3mm

自由空间太赫兹探测器（太赫兹光电导天线）

太赫兹探测天线参数规格

LT-GaAs天线	GaBiAs天线
激发功率：<50mW	激发功率：<20mW
集成预放大器	集成预放大器
集成高阻硅透镜	集成高阻硅透镜
探测太赫兹带宽：5THz@100fs激光脉宽	探测太赫兹带宽：5THz@70fs激光脉宽
太赫兹频谱峰值位置：400GHz	太赫兹频谱峰值位置：400GHz
激发波长：800±40nm	激发波长：1060±40nm
封装XY二维调节架，调节范围±3mm	封装XY二维调节架，调节范围±3mm

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